音频功放 ESOP10 chipstar(智浦欣)

CS5266E

CS5266E升压型GF类5.2W单声道音频功放IC

CS5266E升压型GF类功放芯片,5.2W单声道音频功放IC

品牌
chipstar(智浦欣)
封装形式
ESOP10
工作电压
2.7-5.5V
产品类目
音频功放

TECHNICAL DATA

技术规格

参数逐行取自原厂规格书,来源页列标注对应页码。

共 11 项 · 依据原厂规格书
参数 数值 来源页
推荐电源电压 2.7V-5.5V p.1、p.3
绝对最大 VDD 7.0V p.3
输出功率 5.2W @ 5.0V、4Ω、10% THD+N;3.1W @ 5.0V、8Ω、10% p.1
输出功率 4.0W @ 3.6V、4Ω、10% THD+N;2.9W @ 3.6V、8Ω、10% p.1
固定增益 28 倍 p.1
待机电流 / 关断电流 20mA @ 5V / 小于 1µA p.1
D 类开关频率 350kHz p.1
PSRR 217Hz 时 -80dB p.1
结温范围 -40°C 至 +150°C p.3
热阻 θJA 45°C/W,θJC 10°C/W p.3
封装 ESOP10L,含底部散热焊盘 p.1、p.3

OVERVIEW

产品说明

CS5266E是一款采用CMOS工艺电容式升压型GF类单声道音频功放可以为4Q的负载提供最高5.2W的连续功率;CS5266E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量,功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出又可兼顾系统在有FM的情况下消除功放对系统的干扰;CS5266E具有独特的防破音(NCN)功能可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受CS5266E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS5266E对RF噪声的抑制能力。另外CS5266E内置了过流保护和过热保护有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS5266E提供了ESOP10的封装类型其额定的工作温&范围为-40°C至85C

集成Charge Pump升压模块集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放

VBAT=5.0V,THD+N=10% RL=4@5.2W; RL=8Q31W;VBAT= 5.0V,THD+N=1% RL=4Q@4.3W; RL=8Q@2.4W:VBAT=3.6V.THD+N=10% RL=4贝@4.0W: RL=8R@2.9WVBAT=3.6V,THD+N=1% RL=4Q@3.6W;RL=8Q@2.4W;

AERC专利技术提供优异的全带宽EMI抑制能力优异的“噼噗-咔嗒”(pop-noise)杂音抑制能力高的电源抑制比(PSRR): 在217Hz下为-80dB过温保护过压保护

APPLICATIONS

应用说明

原厂资料未单列固定应用清单。该型号归入「音频功放」类目 ,产品定位为:VBAT=5.0V,THD+N=10% RL=4@5.2W; RL=8Q31W;VBAT= 5.0V,THD+N=1% RL=4Q@4.3W; RL=8Q@2.4W:VBAT=3.6V.THD+N=10% RL=4贝@4.0W: RL=8R@2.9WVBAT=3.6V,THD+N=1% RL=4Q@3.6W;RL=8Q@2.4W;。 具体应用电路、外围器件与热设计请与科泰微 FAE 确认。

选型与样品支持

需要样品、规格书原件或替代型号建议?提供型号与年用量,工程团队会在一个工作日内回复选型与交期。

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