电源管理 ESOP-8L 智浦欣·埃诚攸(CHIPSTAR/IXU)

IU5531

电源管理 60V 输入、4A 异步降压 DC-DC 转换器

IU5531E 是一款集成高侧 MOSFET 的 60V、4A 降压稳压器,可承受抛负载脉冲高达 65V。低纹波脉冲跳跃模式下无负载电源电流仅 180µA;使能引脚拉低时关断电源电流降至 4µA。欠压闭锁内部设定为 4.3V,可用使能引脚提高;内部控制输出电压启动斜坡以消除过冲。宽开关频率范围可优化效率或外部元件尺寸;频率折返与热关断在过载时保护器件。ESOP8 封装,工作温度 −40°C~85°C。

品牌
智浦欣·埃诚攸(CHIPSTAR/IXU)
封装形式
ESOP-8L
工作电压
4.5V ~ 60V
产品类目
电源管理

TECHNICAL DATA

技术规格

参数逐行取自原厂规格书,来源页列标注对应页码。

共 17 项 · 依据原厂规格书
参数 数值 来源页
输入电源电压 4.5 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
VIN 欠压保护阈值 4.3 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
VIN 欠压保护滞回 300 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
静态工作电流 180 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
关断电流 4 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
EN 使能阈值 1.2 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
反馈电压基准 0.8 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
误差放大器跨导 350 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
误差放大器直流增益 10000 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
误差放大器单位增益带宽 2500 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
电流限制阈值 5.5 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
电流限制阈值延迟 70 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
开关频率(电阻定时范围) 100 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
开关频率 500 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
RT/CLK 高电平阈值 1.55 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
RT/CLK 低电平阈值 1.2 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9
极限参数(摘要) VMAX(VIN/BOOT/SW/EN)−0.3~65V、(COMP/FB/RT/CLK)−0.3~6V;θJA 40°C/W;焊接 260°C;推荐 VIN 4.5~60V、TA −40~85°C;储存 −55~150°C;ESD HBM ±2kV、MM ±200V。 p.1、p.2、p.3、p.4、p.5、p.6、p.7、p.8、p.9

OVERVIEW

产品说明

- 输入电压范围 4.5V~60V(抛负载耐受 65V)

- 内部斜坡补偿、电流模式控制;可与外部时钟同步

- 可调开关频率 100kHz~2MHz(RT/CLK 电阻定时)

- 静态工作电流 180µA;关断电源电流 4µA

APPLICATIONS

应用说明

原厂资料未单列固定应用清单。该型号归入「电源管理」类目 ,产品定位为:静态电流180µA;关断4µA;误差放大器跨导350µS;单位增益带宽2.5MHz;取最高版本v1.1(v1.0纯图旧版未用);扫描件全文9页已渲染视觉识别。 具体应用电路、外围器件与热设计请与科泰微 FAE 确认。

选型与样品支持

需要样品、规格书原件或替代型号建议?提供型号与年用量,工程团队会在一个工作日内回复选型与交期。

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