MOS场效应管 TO-220F-1 UTC(友顺)

12N65L-TF1-T

Name: 12N65L-TF1-T
Brand: UTC(友顺)
SKU: 12N65L-TF1-T

12N65L-TF1-T（ML)场效应管12A/650V直流功率MOSFET

科泰微科技代理UTC友顺12N65L-TF1-T场效应管12A/650V直流功率MOSFET是N沟道增强型功率场效应晶体管，这是通过使用UTC的专有，平面条纹和DMOS技术生产，在能量和交流模式下为了使状态电阻最小化，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲

TECHNICAL DATA

技术规格

参数逐行取自原厂规格书，来源页列标注对应页码。

共 10 项 · 依据原厂规格书
参数	数值	来源页
订购信息	12N65L-TF1-T，TO-220F1，Tube，引脚 1-2-3 对应 G-D-S	p.2
绝对最大额定值	VDSS 650V；VGSS ±30V；连续漏极电流 12A；脉冲漏极电流 48A；雪崩电流 12A；单脉冲雪崩能量 790mJ；重复雪崩能量 24mJ；峰值二极管恢复 dv/dt 4.5V/ns	p.3
功耗	TO-220F/TO-220F1 为 51W，TO-220F2 为 54W；结温 +150°C；工作与存储温度均为 -55°C 至 +150°C	p.3
热阻	TO-220F/TO-220F1/TO-220F2 结到环境 62.5°C/W；TO-220F/TO-220F1 结到壳 2.43°C/W，TO-220F2 为 2.31°C/W	p.3
栅极阈值电压	VDS=VGS、ID=250μA 时最小 2.0V、最大 4.0V	p.4
静态导通电阻	VGS=10V、ID=6.0A 时典型 0.65Ω、最大 0.85Ω	p.4
电容	CISS 典型 1480pF、最大 1900pF；COSS 典型 200pF、最大 270pF；CRSS 典型 25pF、最大 35pF	p.4
栅电荷	总栅电荷 QG 典型 42nC、最大 54nC；QGS 典型 8.6nC；QGD 典型 21nC	p.4
开关时间	开通延迟典型 30ns/最大 70ns；上升典型 115ns/最大 240ns；关断延迟典型 95ns/最大 200ns；下降典型 85ns/最大 180ns	p.4
体二极管	连续正向电流 12A、脉冲正向电流 48A、正向压降最大 1.4V、反向恢复时间典型 380ns、反向恢复电荷典型 3.5μC	p.4

OVERVIEW

12N65L-TF1-T（ML) 场效应管(MOSFET) 12A、650V直流功率MOSFET TO-220F-1

UTC12N65是N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)这是通过使用UTC的专有，平面条纹和DMOS技术生产

这些器件适用于高效率的开关电源。在能量和交流模式下为了使状态电阻最小化，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲，先进的技术得到了特别的发展。

RDS(ON) < 0.85欧姆@VGS=10V，ID=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容(CRss=典型的25pF)快速切换能力

APPLICATIONS

原厂资料未单列固定应用清单。该型号归入「MOS场效应管」类目，产品定位为：RDS(ON)<0.85欧姆@VGS=10V，ID=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容。具体应用电路、外围器件与热设计请与科泰微 FAE 确认。

选型与样品支持

需要样品、规格书原件或替代型号建议？提供型号与年用量，工程团队会在一个工作日内回复选型与交期。

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