MOS场效应管 SOT-23-3 UTC(友顺)
2N7002G-AE2-R
2N7002G-AE2-R场效应管(MOSFET)
科泰微科技2N7002G-AE2-R,场效应管(MOSFET) N沟道 60V/300mA,连续漏极电流(Id)：300mA ,功率(Pd)：200mW ,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@300m,10V ,阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V
- 品牌
- UTC(友顺)
- 封装形式
- SOT-23-3
- 工作电压
- 60V/300mA
- 产品类目
- MOS场效应管
TECHNICAL DATA
技术规格
参数逐行取自原厂规格书，来源页列标注对应页码。
| 参数 | 数值 | 来源页 |
|---|---|---|
| 订购信息 | 2N7002G-AE2-R，SOT-23-3，Tape Reel，引脚 1-2-3 对应 S-G-D | p.1 |
| 绝对最大额定值 | VDSS 60V；VDGR 60V；连续栅源电压 ±20V；非重复栅源电压 ±40V；连续漏极电流 300mA；脉冲漏极电流 800mA；功耗 200mW；结温 +150°C；存储温度 -55°C 至 +150°C | p.2 |
| 功耗降额 | 25°C 以上按 1.6mW/°C 降额；结到环境热阻 625°C/W；结到壳热阻 215°C/W | p.2 |
| 栅极阈值电压 | VDS=VGS、ID=250μA 时最小 1V、典型 2.1V、最大 2.5V | p.2 |
| 静态导通电阻 | VGS=10V、ID=300mA 与 VGS=5V、ID=50mA 两种条件下的最大值均为 7.5Ω | p.2 |
| 电容 | CISS 典型 20pF、最大 50pF；COSS 典型 11pF、最大 25pF；CRSS 典型 4pF、最大 5pF | p.2 |
| 开关时间 | VDD=30V、ID=200mA、VGS=10V 条件下，开通时间最大 20ns，关断时间最大 20ns | p.2 |
| 体二极管 | 正向压降典型 0.88V、最大 1.5V；脉冲电流 0.8A；连续电流 300mA | p.2 |
OVERVIEW
产品说明
2N7002G-AE2-R 场效应管(MOSFET) > N沟道 60V 300mA >
该UTC2N7002采用先进的技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极电荷和低栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
低Ros(oN)的高密度电池设计-压控小信号开关
APPLICATIONS
应用说明
原厂资料未单列固定应用清单。该型号归入「MOS场效应管」类目 ，产品定位为：适合用作负载开关或PWM应用。 具体应用电路、外围器件与热设计请与科泰微 FAE 确认。
选型与样品支持
需要样品、规格书原件或替代型号建议？提供型号与年用量，工程团队会在一个工作日内回复选型与交期。
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